(GD&TĐ) Công ty điện tử NEC và đại học Tohoku (Nhật Bản) đã công bố về việc phát triển thành công bộ nhớ truy cập theo nội dung (CAM) vừa có tốc độ nhanh vừa có khả năng lưu trữ dữ liệu ngay cả khi ngắt điện.
Bộ nhớ truy cập theo nội dung (Content Addressable Memory) của NEC thực chất là một một phần của công nghệ chế tạo mạch tích hợp luận lý spintronics. Spintronics là một hướng phát triển mới của lĩnh vực điện tử học (electronics) mà ở đây người ta quan tâm đến thuộc tính spin của điện tử bên cạnh điện tích của nó (khác với điện tử học truyền thống (electronics) chỉ sử dụng điện tích của điện tử. Thuật ngữ này có nguồn gốc từ những khám phá đầu tiên về hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (giant magnetoresistance, GMR) của nhóm các nhà khoa học Đức (P. Grünberg) vào năm 1986, và Pháp (A. Fert) vào năm 1988. Vì sự phát hiện ra hiệu ứng GMR đã làm nền tảng thúc đẩy công nghệ lưu trữ thông tin phát triển hết sức mạnh mẽ trong suốt thời gian qua, từ thập niên cuối của thế kỷ 20 đến nay, mà hai nhà vật lý này đã được giải thưởng Nobel vật lý năm 2007.
Theo các nhà khoa học của NEC, loại bộ nhớ này cho phép các dữ liệu được xử lý trong CAM được lưu trữ trên một mạch không cần dùng điện. Trong khi đó các công nghệ bộ nhớ truyền thống đòi hỏi dữ liệu phải được lưu trữ trong bộ nhớ. Những loại bộ nhớ như DRAM sẽ mất dữ liệu ngay khi ngắt điện.
Trong những năm gần đây, các thiết bị CNTT được sử dụng ngày một nhiều nhằm đáp ứng đà tăng trưởng của điện toán đám mây. Hầu hết các thiết bị hiện tại đều cần một khoảng thời gian để khởi động và các mạch bên trong vẫn hoạt động khi mà thiết bị ở trạng thái chờ. Chính vì thế, việc tiêu tốn năng lượng trong các thiết bị CNTT dù ở chế độ chờ đã trở thành mối lo thực sự.
Như vậy, việc sử dụng CAM cùng với các loại bộ nhớ chống thất thoát dữ liệu khi ngắt điện hiện tại sẽ mang lại những lợi ích đáng kể cho các thiết điện tử và thiết bị lưu trữ. Trong tương lai không xa, chúng ta sẽ có những thiết bị điện tử có khả năng khởi động tức thì và không tốn điện khi ở chế độ chờ.
Bookmarks